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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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量子点又称为半导体荧光纳米晶,主要是由II-VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)和III-V族元素(如InP、InAs等)组成的纳米颗粒,粒径一般小于20 nm,由于其电子-空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射不同波长的荧光,因而成为新一代荧
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Cat NoProduct NameSizeCompositionDiameterABF-9-1Carboxyl UCNs,365/475 nm,PEG-COOH10 mgNaYREF435 nmABF-9-2Carboxyl UCNs,545/660 nm,PEG-COOH10 mgNaYREF4
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Cat NoProduct NameSizeCompositionDiameterABF-7-1Amino UCNs,365/475 nm,PEG-NH210 mgNaYREF435 nmABF-7-2Amino UCNs,545/660 nm,PEG-NH210 mgNaYREF435 nmABF
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Cat NoProduct NameSizeCompositionDiameterABF-5-1Dense Silica UCNs,365/475 nm,dSiO210 mgNaYREF435 nmABF-5-2Dense Silica UCNs,545/660 nm,dSiO210 mgNaYRE
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